机译:非晶GeTe中电阻漂移的结构起源
IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, CH-8803 Rueschlikon, Switzerland;
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机译:非晶GeTe中电阻漂移的结构起源
机译:相变化合物GeTe在非晶态下电阻漂移的微观起因
机译:无定形Gete相变材料薄膜的耐抵抗潜力现象的结构变化
机译:探索相变存储器中电阻漂移的物理起源及其对漂移不敏感材料的影响
机译:氢化非晶硅基材料中的电子漂移迁移率测量和导带尾态(锗和碳合金的影响)。
机译:非晶相变材料的带隙与电阻漂移之间的关系
机译:朝着无定形Gete的准确模型:分散范德瓦尔斯矫正对相变机制涉及的结构性的关键影响