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机译:II-VI半导体纳米结构振动特性的力场势
Department of Physics, Beijing Key Lab for Metamaterials and Devices, Beijing Advanced Innovation Center for Imaging Technology, Capital Normal University, Beijing 100048, China,Institut fur Physikalische Chemie, Universitaet Hamburg, Grindelallee 117, Hamburg D-20146, Germany;
Institut fur Physikalische Chemie, Universitaet Hamburg, Grindelallee 117, Hamburg D-20146, Germany,Department of Physics, Beijing Key Lab for Metamaterials and Devices, Beijing Advanced Innovation Center for Imaging Technology, Capital Normal University, Beijing 100048, China,The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging, Lumper Chaussee 149, Hamburg D-22761, Germany;
机译:II-VI半导体纳米结构的振动性能的力现场电位
机译:Ⅱ-Ⅳ半导体纳米结构振动性能的力现场电位
机译:Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构振动特性的原子间势。
机译:InAs半导体纳米结构的电子和光学性质的伪电势研究
机译:使用伪电位理论研究IV,III-V,II-VI组的半导体及其合金的某些物理性质。
机译:扩展QuickFF力场协议以提高金属-有机框架的结构振动机械和热性能的准确性
机译:III-V振动特性的原子间势 半导体纳米结构
机译:氟高氯酸盐。振动光谱,力场和热力学性质。