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机译:层状III-VI化合物半导体GaSe薄膜中Rashba自旋轨道相互作用引起的弱反定位
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan,Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan;
Nanophoton R&D Center, Nanophoton Corporation, Osaka 565-0871, Japan;
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan,Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan,Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
机译:层次的III-VI化合物半导体Gase薄膜中Rashba旋转轨道相互作用诱导的弱的抗透明度
机译:Ⅲ-Ⅴ化合物化合物半导体Gase薄膜Rashba旋转轨道相互作用诱导的弱的抗透明度
机译:单层WSe_2上金属薄膜的诱导Ising自旋轨道相互作用
机译:GaAs / Algaas异质结构的弱(抗)定位效果,共存拉什巴和德雷赫斯旋转轨道相互作用
机译:通往纳米晶和薄膜III-VI和I-III-VI半导体的化学路线
机译:具有Rashba自旋轨道相互作用的二维半导体中的量子棘轮
机译:栅极可调谐自旋轨道耦合和弱无效定位效应 外延La $ _ {2/3} $ sr $ _ {1/3} $ mnO $ _3 $薄片
机译:复合半导体薄绝缘薄膜中的电子束诱导损伤