机译:Au插层在Ru(0001)上石墨烯中电子结构调制的第一性原理研究
Department of Systems Innovation Engineering, Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka 020-8551, Japan;
Department of Engineering for Future Innovation, National Institute of Technology, Ichinoseki College, Ichinoseki 021-8511, Japan;
Department of Physical Science and Materials Engineering, Faculty of Science and Engineering, Iwate University, Morioka 020-8551, Japan;
Professor Emeritus, Iwate University, Morioka 020-8550, Japan;
机译:Au嵌入的Ru(0001)上石墨烯电子结构调制的第一原理研究
机译:金属插层(金属= Al,Ag,Au,Pt和Pd)后SiC(0001)上外延石墨烯单层的电子结构:第一性原理研究
机译:嵌入金后SiC(0001)上外延石墨烯单层的电子结构:第一性原理研究
机译:第一性原理研究GaN(0001)表面的电子结构和光学性质
机译:分子在石墨烯/ Ru(0001)上的嵌入,吸附和反应
机译:过渡元件添加对Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面的界面相互作用和电子结构的影响:第一原理研究
机译:10在Ru(0001)上外延生长的周期性波纹,自纳米结构石墨烯的电子和几何波纹