机译:具有柱状缺陷的超导体中3B_Φ处的临界电流峰值:使间隙玻璃重结晶
Department of Physics, University of Waterloo, Waterloo, Ontario Canada N2L 3G1;
vortex lattices; flux pinning; flux creep; impurities and other defects; numerical simulation studies;
机译:包含自组装柱状缺陷的高T _c超导体中临界电流密度在特斯拉级磁场的匹配场效应
机译:200 MeV Ag〜(+15)离子辐照产生柱状缺陷并提高La-2125型超导薄膜的临界电流密度
机译:极端II型超导体中涡旋-柱状缺陷相互作用和临界电流的数值计算-基于Ginzburg-Landau近似的二维模型
机译:具有裂变的随机柱状缺陷的高T_C超导体中的涡旋固定和临界电流增强
机译:了解为什么谷物边界限制了Fe基超导体的临界电流密度,并探讨了提高电流密度的方法
机译:作者更正:量子临界超导体的临界电流峰值
机译:柱状超导体的临界电流峰值为$ 3B _ {\ phi} $ 缺陷:重新结晶间隙玻璃
机译:超导临界电流密度作为金属玻璃缺陷的探讨