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机译:拉伸应变锗微观结构:热 - 光学性能综合分析
IHP–Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) Germany;
Dipartimento di Fisica 'Enrico Fermi' Universita di Pisa Largo Bruno Pontecorvo 3 56127 Pisa Italy;
Dipartimento di Scienze Universita degli Studi Roma Tre Viale G. Marconi 446 Ⅰ-00146 Roma Italy;
IHP–Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) Germany;
National Research Council of Italy (CNR-IEIIT) 56122 Pisa Italy;
Scuola Superiore Sant’Anna Istituto TECIP Via G. Moruzzi 1 56127 Pisa Italy;
Inphotec Fondazione Via G. Moruzzi 1 56127 Pisa Italy;
Inphotec Fondazione Via G. Moruzzi 1 56127 Pisa Italy;
IHP–Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) Germany;
IHP–Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) Germany;
germanium; photoluminescence; Raman; semiconductor; strain;
机译:n掺杂和拉伸应变的锗异质结构二极管的光增益阈值分析
机译:硅光子局部拉伸应变GE微观结构的形成与性能
机译:纳米/超细亚稳奥氏体不锈钢在累积辊压结合过程中的微观组织发展及其相应的拉伸性能的综合研究
机译:隐式氮化物应力源使均匀拉伸应变的锗对更长波长的高效集成光电探测器有效
机译:温度和微观结构对空气中钛碳化硅的拉伸和拉伸蠕变性能的影响。
机译:双轴拉伸应变锗纳米线的理论研究
机译:使用X射线线谱分析评估钢的微观结构和力学性能