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机译:金在位错硅中的电学性质
IV. Physikalisches Institut der Universitaet Goettingen, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Goettingen, Germany;
point defects (vacancies, interstitials, color centers, etc.) and defect clusters; linear defects: dislocations, disclinations; elemental semiconductors;
机译:用于太阳能电池的N型脱位Czochralski硅晶体中的铁相关缺陷的电性能
机译:金在硅中的扩散特性和用于开发抗辐射探测器的硅二极管的电性能
机译:飞秒激光制备金掺杂硅的光电性能研究
机译:在金扩散导致高位错的硅错位时金的偏析
机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:用于表面精加工和电性能的单晶硅晶片激光研磨
机译:用氮化硅覆盖层提高铝诱导多晶硅薄膜的微观结构和电性能
机译:淬火金钯合金的电子显微镜研究。 I.淬火钯合金电阻率变化的研究。 II。淬火空位对金钯合金力学性能的影响。 III