机译:Si中位错和位错障碍的X射线断面图像
Chernivtsi National University, Kotsjubinskogo Str. 2, 58012 Chernivtsi, Russia;
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direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.); linear defects: dislocations, disclinations; microscopic defects (voids, inclusions, etc.);
机译:4H-SiC的X射线微束三维形貌成像和基底平面位错和螺纹边缘位错的应变分析
机译:4H-SiC中微管的掠入射同步加速器白束X射线形貌图像的模拟及其位错感的确定
机译:4H-SiC中微管的掠入射同步加速器白束X射线形貌图像的模拟及其位错感的确定
机译:硅晶体中位错环和屏障的X射线图像透射几何的情况
机译:金属间化合物中位错的演化,相互作用和内在性质:各向异性三维位错动力学方法。
机译:常见的延伸复合体是一种预测用于确定简单的后侧弯头位错(简易后侧弯头位错)的稳定性:稳定与不稳定脱位的MR图像分析
机译:常见的延伸复合体是一种预测,用于确定简单的后侧弯头位错(简易后侧弯头位错)的稳定性:稳定与不稳定脱位的MR图像分析
机译:立方晶体中的位错势垒相互作用。第二卷。各向异性体心立方晶体(112)平面上的扩展位错障碍(现象理论研究)