...
机译:独立的CVD硼掺杂金刚石单晶:垂直功率电子设备的基底?
Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, Laboratoire des Sciences des Precedes et des Materiaux, CNRS (UPR 3407), 93430 Villetaneuse, France;
Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, Laboratoire des Sciences des Precedes et des Materiaux, CNRS (UPR 3407), 93430 Villetaneuse, France;
Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, Laboratoire des Sciences des Precedes et des Materiaux, CNRS (UPR 3407), 93430 Villetaneuse, France;
Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, Laboratoire des Sciences des Precedes et des Materiaux, CNRS (UPR 3407), 93430 Villetaneuse, France;
GEMaC, CNRS-Universite de Versailles St-Quentin, 45 av. des Etats-Unis, 78035 Versailles Cedex, France;
GEMaC, CNRS-Universite de Versailles St-Quentin, 45 av. des Etats-Unis, 78035 Versailles Cedex, France;
Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, Laboratoire des Sciences des Precedes et des Materiaux, CNRS (UPR 3407), 93430 Villetaneuse, France;
boron doping; crystal morphology; growth parameters; thick films;
机译:通过化学气相沉积法生长的独立式掺硼金刚石作为垂直功率电子设备的基底的评估
机译:通过化学气相沉积法生长的独立式掺硼金刚石作为垂直功率电子设备的基底的评估
机译:独立式掺硼CVD金刚石膜的晶体结构,硼分布和残余应力的研究
机译:独立的单晶(100)CVD金刚石样品的不同表面终止对电传输和发射性能的影响
机译:用于高功率二极管应用的单晶金刚石的硼掺杂。
机译:具有再生长阶梯边缘结构的单晶掺硼金刚石超导量子干涉装置
机译:不同表面终端对独立单晶(100)CVD金刚石样品的电气传输和排放性能的影响