机译:用于基于光电导的接触复合电流测量的测试结构中的过多载流子密度变化
Katholieke Universiteit Leuven, Heverlee, Belgium;
Boundary conditions; Charge carrier density; Current measurement; Photovoltaic cells; Radiative recombination; Semiconductor device measurement; Semiconductor device modeling; Contact recombination; excess carrier density; quasi-steady state photoconductance (QSSPC);
机译:避免通过QSSPC触点重组电流测量的测试结构中的点触点流过寄生电流
机译:通过光学相位测量直接确定双异质结构二极管中的自由载流子注入密度,自由载流子吸收和复合因子。第三部分
机译:涡流测量超载复合寿命的实验室间研究
机译:点外载波密度变化点接触晶格基于QSSPC接触重组电流测量的基于晶格的测试结构
机译:拉曼光学活性:理论,仪器和测量。电子跃迁电流密度:所选分子中振动跃迁电流密度的从头算。
机译:比较高密度连锁图谱揭示了保守的基因组结构但杂种动物水平和重组冷点在普通青蛙中的位置变化。
机译:用于QSSPC接触重组电流测量的基于点接触点阵的测试结构中的面外多余载流子密度变化
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。