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机译:多孔硅工艺中无缝外延硅晶片中4.5ms的有效载流子寿命
Institute for Solar Energy Research Hamelin, Emmerthal, Germany;
Institute for Solar Energy Research Hamelin, Emmerthal, Germany;
Institute for Solar Energy Research Hamelin, Emmerthal, Germany;
Institute for Solar Energy Research Hamelin, Emmerthal, Germany;
Epitaxial growth; Silicon; Gettering; Temperature measurement; Charge carrier lifetime; Substrates; Surface treatment;
机译:Kerfless外延硅晶片,具有7毫米载体寿命和宽剥离工艺窗口
机译:使用新型多层多孔硅叠层的无外延薄硅箔无缝层转移,具有近100%的分离率和大的少数载流子扩散长度
机译:吸气型p型外延无切口硅的有效寿命超过300μs
机译:多孔硅工艺缺陷表征缺陷表征的寿命分析
机译:载流子寿命测量,用于表征超净p / p +硅外延薄层。
机译:直接激光熔化硅晶片上的硅外延生长
机译:多孔硅工艺无缺陷外延硅中缺陷表征的寿命分析