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机译:热退火对InAs / GaAs量子点激光器动态特性的影响
$^{1}$School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore;
Quantum dots (QD); semiconductor lasers;
机译:金属有机化学气相沉积法生长的InAs / GaAs自组装量子点激光器-生长后退火对堆叠的InAs量子点的影响
机译:点大小对INAS / GAAS量子点激光器动力学特性的影响
机译:通过快速热退火改善了1.3μm多层P掺杂InAs / InGaAs量子点激光器的性能
机译:刚性热退火对自组装INAS / GaAs量子点的梭粗能量间距的影响
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性