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机译:表面取向和缺陷对纯铜早期氧化和超薄氧化物生长的影响
ByoungseonJeona*,SubramanianK.R.S.Sankaranarayananb,AdriC.T.vanDuinc&ShriramRamanathana;
机译:表面取向和缺陷对纯铜早期氧化和超薄氧化物生长的影响
机译:预氧化表面处理对硅超薄氧化物生长的影响
机译:氧化物表面的电子转移。 MgO范例:从缺陷到超薄薄膜
机译:微量Al表面污染对超薄栅氧化物氧化生长动力学的影响。
机译:氧化物表面和金属氧化物界面的反应性:水蒸气压力对超薄氧化铝膜的影响,以及铂在超薄氧化膜上的生长模式及其对粘附力的影响的研究。
机译:铜箔表面上高度多面还原的氧化石墨烯涂层氧化铜和铜纳米粒子的开发
机译:晶体学取向和表面缺陷对铜晶须化学吸附和氧化作用的场发射显微镜研究
机译:表面缺陷和局部结构对金属氧化物表面酸/碱性质和氧化途径的影响。最后报告,1990年6月至1997年1月