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机译:过渡金属氧化物对有机宽带隙材料的P型掺杂:以三氧化钼为例
Department of Electrical Engineering, Princeton University. Princeton, NJ 08544, USA;
Institut fuer Hochfrequenztechnik, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany;
Institut fuer Hochfrequenztechnik, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany;
Institut fuer Hochfrequenztechnik, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany;
Institut fuer Hochfrequenztechnik, Technische Universitaet Braunschweig, Braunschweig, Germany;
Department of Electrical Engineering, Princeton University. Princeton, NJ 08544, USA;
charge transport; doping; electronic structures/processes/mechanisms; organic electronics; ultraviolet photoelectron spectroscopy; inverse photoelectron spectroscopy;
机译:钼掺杂宽带间隙氧化物铁磁性特性的第一原理分析
机译:掺锂的NiMgO薄膜作为有希望的具有宽带隙的p型透明导电材料
机译:序贯方法掺杂有金纳米颗粒的三氧化钼薄膜:光化学金属有机沉积(PMOD)和直流磁控溅射
机译:三氧化钼作为有机半导体中的p型掺杂剂的研究:间隙状态密度对其N- / p型特性的影响
机译:氧化钼催化剂的研究:I.氧化钼与各种烷氧基硅烷的金属蒸气反应。二。由二氧化钼(VI)制备的氧化物支持的钼催化剂的研究。
机译:宽带隙氮化物中的杂质共振态p型掺杂
机译:掺杂有序列方法的金纳米颗粒掺杂的钼薄膜:光化学金属 - 有机沉积(PMOD)和DC-Magnetron溅射