机译:通过铁电聚合物膜的图案化和转移制造的低压非易失性多位存储器
Department of Mechanical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 373-1, Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 373-1, Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
Ferroelectric polymer; Patterning; Transfer; Multi-bit memory;
机译:基于铁电聚合物和感光膜的低压多位存储器件的无真空制造
机译:Ge8Sb2Te_(11)合金层用于非易失性存储器的受控晶体的铁电聚合物薄膜的激光诱导非破坏性图案化
机译:多层松弛铁电聚合物致动器,用于低压操作,采用粘附介导的膜转移技术制造
机译:低压非易失性存储器用铁电PZT薄膜
机译:用于铁电非易失性存储应用的铌酸锂薄膜的处理和表征。
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:优异的低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性记忆,带夹层超薄铁电膜
机译:用于开发非易失性,超高密度,快速,低电压,辐射 - 硬核存储器的原子光滑外延铁电薄膜