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机译:聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)和多壁碳纳米管中的双稳态电开关和非易失性存储效应
Heilongjiang Univ Sch Chem Engn & Mat Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;
Heilongjiang Univ Sch Elect Engn Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;
Heilongjiang Univ Sch Chem Engn & Mat Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China|Heilongjiang Univ Minist Educ Key Lab Funct Inorgan Mat Chem Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;
South China Univ Technol Sch Mat Sci & Engn Guangzhou 510640 Guangdong Peoples R China;
Heilongjiang Univ Minist Educ Key Lab Funct Inorgan Mat Chem Harbin 150080 Heilongjiang Peoples R China;
PFO; MWCNTs; Flash memory device; Nonvolatile behavior;
机译:聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)和多壁碳纳米管中的双稳态电开关和非易失性存储效应
机译:通过掺杂不同量的聚合物(9,9-二辛基氟烯-2,7-亚基)通过掺杂不同量的电气开关和非易失性存储器效果
机译:通过在聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)中掺杂不同量的GO进行双稳态电开关和非易失性存储效应
机译:二胺封端的聚(乙二醇)的合成及多壁碳纳米管(MWNT)的空间稳定化
机译:针对组装基于碳纳米管的非易失性随机存取存储器的机械和机电研究。
机译:改进的基于聚乙烯吡咯烷酮/聚丙烯腈/多壁碳纳米管的纳米复合材料的热电性能
机译:通过掺杂不同量的聚合物(9,9-二辛基氟烯-2,7-亚基)通过掺杂不同量的电气开关和非易失性存储器效果
机译:用于存储器,RF通信和传感应用的碳纳米管开关及其制造方法