...
机译:在GaN纳米棒中生长有GaN表面势垒的In_xGa_(1-x)N / GaN多量子盘的载流子限制效应
Ulsan Natl Inst Sci & Technol Sch Nat Sci Ulsan 44919 South Korea;
Univ Oxford Dept Phys Clarendon Lab Oxford OX1 3PU England;
Soongsil Univ Dept Phys Seoul 06978 South Korea;
Dongguk Univ Div Phys & Semicond Sci Seoul 04620 South Korea;
InGaN/GaN quantum disk; Photoluminescence; Quantum confined Stark Effect;
机译:在GaN纳米棒中生长有GaN表面势垒的In_xGa_(1-x)N / GaN多量子盘的载流子限制效应
机译:分子束外延生长的纳米柱状GaN / Al_xGa_(1-x)N量子盘中的载流子限制效应
机译:勘误表:通过分子束外延生长的In_xGa_(1-x)N / GaN量子点中的强载流子限制[Phys。 B 75,045314(2007)版]
机译:In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱的量子结构相关激子载流子动力学
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:混合N2 / H2生长GaN势垒的InGaN / GaN多量子阱的表面形貌演化机理。
机译:具有混合N2 / H2生长GaN势垒的InGaN / GaN多量子阱的表面形貌演化机制
机译:压电效应对GaN / al(x)Ga(1-x)N多量子阱的光学性质的影响2。应用物理快报