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机译:低压MOCVD法在(0001)蓝宝石和(0112)蓝宝石上生长的ZnO薄膜的结构和光学性质的比较
College of Electronic Science and Engineering State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University 119 Jiefang Road Changchun 130023 People's Republic of China;
机译:大气压MOCVD法在(0001)蓝宝石和GaN /(0001)蓝宝石模板上生长的ZnO薄膜的结构和光学性质的比较
机译:用MOCVD法在蓝宝石上生长不同厚度的ZnO薄膜的结构和光学性质
机译:用MOCVD法在蓝宝石上生长不同厚度的ZnO薄膜的结构和光学性质
机译:通过交替供应三甲基铟和一氧化二氮在(0001)蓝宝石衬底上生长的In_2O_3薄膜的结构和光学性质
机译:通过蓝宝石上的金属有机气相沉积(MOCVD)生长的N型氮化镓的电学表征。
机译:使用低温气相陷阱热化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的Zno微米/纳米结构:结构和光学性质
机译:初始生长行为及其微观结构特征 蓝宝石(0001)衬底上的异质外延ZnO薄膜
机译:(0001)和(0112)蓝宝石衬底上GaN薄膜物理性质的比较