机译:射频等离子体功率对MBE生长的无意掺杂GaN外延层载流子弛豫动力学的影响
CSIR Natl Phys Lab Dr KS Krishnan Rd New Delhi 110012 India|CSIR Natl Phys Lab Acad Sci & Innovat Res Dr KS Krishnan Rd New Delhi 110012 India;
CSIR Natl Phys Lab Dr KS Krishnan Rd New Delhi 110012 India;
Cent Elect Engn Res Inst CSIR Network Inst Solar Energy Pilani 333031 Rajasthan India;
RF-MBE; Yellow luminescence; Photoconductivity; Ultrafast optical pump-probe spectroscopy;
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的高电阻率无意碳掺杂的GaN层,其中氮作为成核层载气
机译:掺Fe或无意掺杂GaN缓冲层的MOCVD在SiC上生长的AlGaN / GaN HEMT的直流和微波性能的比较
机译:Si和O在SiC(0001)衬底上无意掺杂的MBE-生长GaN的Si和O供体杂质的研究
机译:通过射频辅助分子束外延在纳米柱GaN上生长的准无常设GAN外延层
机译:用铍辅助分子束外延生长氮化镓与氮化镓和镁的p型掺杂问题
机译:勘误到:在蓝宝石上生长的外延n型掺杂GaN层的红外反射分析
机译:高电阻率无意碳掺杂GaN层,氮气作为金属有机化学气相沉积生长的成核层载气
机译:有机金属化学气相沉积mg掺杂GaN外延层的磁共振研究2。杂志文章