机译:用于高频工作的InGaAsN / GaAs量子阱脊形激光二极管的优化和表征
CNRS, LAAS, F-31077 Toulouse 4, France;
Lab Photon & Nanostruct, F-91460 Marcoussis, France;
Alcatel thales III V Lab, F-91460 Marcoussis, France;
Inst Natl Sci Appl, CNRS, LNMO, F-31077 Toulouse 4, France;
1; 3 mu m laser emission; dilute nitride InGaAsN; optical communications; semiconductor laser; GAINNAS; 1.35-MU-M;
机译:脉冲阳极氧化制备的InGaAsN应变补偿量子阱和脊形波导激光器中带间跃迁能量的温度依赖性
机译:InGaAsN / GaAs脊形波导激光器的高功率(200 mW)单模工作,波长约为1.3 / spl mu / m
机译:优化脊高以制造带有脉冲阳极氧化的高性能InGaAsN脊波导激光器
机译:高性能应变补偿InGaAsN量子阱脊波导激光器
机译:用于基于锶88单离子的光学原子钟中使用的1092 nm二极管泵浦光纤激光器和1033 nm外腔二极管激光器的频率稳定性。
机译:镓铟磷化物的表征及铝镓磷化物体系量子阱激光二极管的研究进展
机译:InGaasN / Gaas量子阱激光二极管