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机译:锗掺杂石墨烯的电子光学,性质和加宽带隙
LMPHE, Faculty of Sciences, University Mohammed V, Rabat, Morocco;
LMPHE, Faculty of Sciences, University Mohammed V, Rabat, Morocco;
LMPHE, Faculty of Sciences, University Mohammed V, Rabat, Morocco;
LMPHE, Faculty of Sciences, University Mohammed V, Rabat, Morocco,Hassan II Academy of Science and Technology, Rabat, Morocco,Institute of Nanomaterials and Nanotechnology, MAScIR, Rabat, Morocco;
LMPHE, Faculty of Sciences, University Mohammed V, Rabat, Morocco;
LMPHE, Faculty of Sciences, University Mohammed V, Rabat, Morocco;
Ab-initio calculations; Electronic structure; Graphene doped; Optical properties; Wien2k;
机译:原始石墨烯的Adatom掺杂几何和电子性质:一种修改带隙的方法
机译:反应性微波等离子体通过可控离子掺杂实现硼掺杂石墨烯的能带隙和p型传输性质
机译:重构Pt(100)表面上石墨烯的电子结构:氢吸附,掺杂和带隙
机译:B / N掺杂在石墨烯中电子结构和带隙形成的建模:第一个原理研究
机译:窄带隙半导体激光材料的光学和电子特性的超快光谱测量。
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机译:原子掺杂富含原始几何和电子特性 石墨烯:一种修改带隙的方法
机译:离子注入掺杂的大带隙半导体的光学和电子特性