窒化ガリウムHEMTを用いた小型·高出力な10GHz帯送受信1チップ集積回路

摘要

富士通研究所は6月20日、窒化ガリウム(GaN)裏電子移 動度トランジスタ（HEMT)を用いて、10GHz帯で、6.3W出力の送受信1チップ集積回路を世界で初めて開発した。従来、高出力な送信信号と微弱な受信信号を1チップ上で同 時に扱う場合には、送受信号を効率良く切り醫えることと、送信信号が受信信号に与える影醫を低減することが必要となる が、これらを両立することが技術的に困難だった。今回，富士通研究所はGaN-HEMTを用いた低損失な送受 切替器を開発し、また、送受糲間の信号干渉を抑制する高出力回路集積化設計技術により、これらの課题を解決した。送受信部の大きさを3.6mmx3.3mmと従来の複数のチップを 使用した場合に比べ1/10以下に小型化し、10 GHz帯で出力 6.3Wを実現している。この技術により、単ーのチップで离出力の送受信機を構成 することが可能となるので、レーダー機器やワイヤレス通信 機器などのシステムの小型化の実現に貢献するものとなりそ ラだ。