imec+ゲント大学、300mm Siウエファにレーザアレイをモノリシック成長

摘要

imecとゲント大学は初めて、CMOSパイロットラインで300mmシリコン基板にInPレーザアレイをモノリシック成長させた。このブレイクスルー達成により、レーザ光源をモノリシック集積したコスト効果の高いフォトニック集積回路(PICs)量産への道が拓ける。そのようなレーザ光源を持つPICsは、将来のロジックとメモリチップ間のデータ転送に革命を起こす。過去数年にわたり、クラウドデータセンタサーバ間のデータ通信需要が飛躍的に増加した、これはソーシャルネットワーキンダ、クラウドコンピューティングやビッグデータアプリケーションの力強い成長によるものである。シリコンフォトニクス技術によって光トランシーバのコスト効果の優れた製造が可能になると、これは電力効率が改善されたサーバやデータセンタ容量の連続的拡張につながる。しかし、この技術の広範な普及は、モノリシック集積レーザ光源の欠如によって部分的にではあるが、阻害されてきた。現在長距離通信ネットワークで利用されている、効率の良いInPベースの光源をシリコンに集積することは、両材料間の結晶格子定数の大きなミスマッチのために、非常に難しいことが知られている。