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【24h】

液浸露光装置S620D: ダブルパターニング世代の新プラットホーム:Streamlign

机译:浸没式光刻系统S620D:双图案生成的新平台:Streamlign

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摘要

l.はじめに世代を経るごとに厳しくなる半導体デバイスの高集積化要求に対し,これまで半導体露光装置は,光源の短波長化,液浸露光1)の導入などの解像度向上技術で応えてきた。45nmハーフピッチ世代の量産技術として,波長193nmのArF光を用いた液浸露光が確立されつつある昨今,さらなる微細化を可能にする「次世代のリソグラフィー技術・半導体露光装置」の開発への注目が高まってきている。32nmハーフピッチ世代以降の量産技術の有力な選択肢としては,スぺ-サー・ダブルパターニング(SDP)および,ピッチ・スプリッティング・ダブルパターニング(PSDP)が提唱されている2)。
机译:l。首先,响应于对半导体器件的更高集成度的要求,随着时代的发展,这种集成度越来越严格,迄今为止,半导体曝光设备已经通过分辨率改善技术做出了响应,例如缩短了光源的波长并引入了浸没式曝光1)。作为用于45nm半间距产生的批量生产技术,目前正在确立使用波长为193nm的ArF光进行浸入曝光的技术,并且注意力集中在开发能够进一步小型化的“下一代光刻技术/半导体曝光设备”上。在增加。在产生32 nm半间距之后,已提出间隔双图案(SDP)和间距分裂双图案(PSDP)作为批量生产技术的有希望的选择。

著录项

  • 来源
    《O Plus E》 |2010年第9期|p.1032-1037|共6页
  • 作者单位

    株式会社ニコン;

    株式会社ニコン;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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