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机译:高能Bi和Kr离子缺陷铁中正电子寿命谱的研究。
Institute of Physics, Opole University, 48 Oleska Str, 45-052 Opole, Poland;
rnInstitute of Physics, Opole University, 48 Oleska Str, 45-052 Opole, Poland;
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ion implantation; defects; annihilation;
机译:在3C-SiC和6H-SiC中具有各种电荷状态的完全弛豫单空位的能级和正电子寿命的电子结构研究
机译:正电子寿命谱研究重金属氧化物玻璃中辐照引起的缺陷
机译:用正电子寿命谱观察掺锌GaAs中的生长缺陷
机译:正电子寿命调查INP晶体空位缺陷
机译:(1)铁(0)卡宾配合物与六氟丁炔反应形成双(三氟甲基化)呋喃。 (2)乙烯酮铁(0)与1-氯炔烃的环加成反应,形成高度取代的氯邻苯二酚衍生物。
机译:掺有稀土元素Er3 +的碲化物玻璃70TeO2-5XO-10P2O5-10ZnO-5PbF2(X = MgBi2Ti)的正电子ni没寿命光谱法测量缺陷结构
机译:正电子湮没寿命测量,高热导率氮化铝晶格缺陷的研究