机译:硅碳化物探测器中子监测系统中计数率和缺陷的蒙特卡洛建模,突出显示GT-MHR
The Ohio State University, Nuclear Engineering Program E429 Scott Laboratory, 201 W. 19th Avenue, Columbus, Ohio 43210;
displacement damage modeling; silicon carbide; GT-MHR;
机译:EUROBALL中子壁探测器系统的MONTE CARLO模拟:如何识别散射的中子
机译:EUROBALL中子壁探测器系统的蒙特卡洛模拟:如何识别散射中子
机译:校准中子源的叉探测器的蒙特卡洛模型验证
机译:一种改进的统计系统模型和基于硅探测器康普顿医学成像系统的加速蒙特卡罗模拟
机译:使用碳化硅半导体辐射检测器的高计速率中子磁通监测通道的开发
机译:D-T聚变中子检测中碳化硅肖特基二极管检测器的抗辐射性
机译:用4H碳化硅探测器对D-D中子和稳定性测量的检测器响应