机译:化学去污后放射性钴沉积抑制方法的开发:铁氧体成膜工艺在实际BWR计划中的应用
Hitachi, Ltd., Hitachi Research Laboratory 7-2-1 Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 319-1221, Japan;
Hitachi-GE Nuclear Energy, Ltd. Hitachi Works, 3-1-1 Saiwai-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 317-0073, Japan and;
Hitachi-GE Nuclear Energy, Ltd. Hitachi Works, 3-1-1 Saiwai-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 317-0073, Japan and;
Tohoku University, School of Engineering Department of Quantum Science and Energy Engineering 6-6-01-2 Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 980-8579, Japan;
机译:化学去污后放射性钴沉积抑制方法的发展:(I)铁氧体薄膜涂层对抑制钴沉积的影响
机译:化学去污后放射性钴沉积抑制方法的发展:(Ⅱ)考虑在363 K的水溶液中不锈钢上的Fe_3O_4电镀机理
机译:化学浴沉积法合成硒化钴钴硒化物薄膜的形貌和光学性质
机译:化学去污后沉积放射性钴的抑制方法的开发:铁素体膜涂层的抑制性能增强
机译:液态膜的夹带和沉积模型及其在BWR燃料棒干燥中的应用。
机译:室温亚铁磁钴铁氧体纳米点的有序二维阵列的化学溶液沉积
机译:化学净化后放射性钴沉积抑制方法的发展:(iii)抑制机理与预氧化铁氧体膜,用于沉积放射性钴
机译:化学沉积与混合铁氧体薄膜的形成