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机译:注入磷离子的4H-SiC(112-0)重结晶过程
Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, 3-7-2 Kajinocho, Koganei, Tokyo 184-8584, Japan;
SiC; implantation; recrystallization; activation energy; impurity effect;
机译:电子背散射衍射图谱分析估算注入磷的4H-SiC层再结晶
机译:离子通量对注磷(0001)取向4H-SiC的再结晶和电阻降低的影响
机译:离子通量对注磷(0001)取向4H-SiC的再结晶和电阻降低的影响
机译:磷杂质浓度依赖性磷的重结晶过程植入4H-SiC(11-20)
机译:工艺参数和合金添加量对铌微合金钢力学确定的无再结晶温度的影响。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:磷注入4H-siC(11-20)再结晶过程的杂质浓度依赖性