机译:硅光电探测器中的8 MeV电子辐照效应
Department of Materials Science, Mangalore University, Mangalagangotri 574 199, India;
silicon; photo-detector; spectral response; electron irradiation;
机译:用高流量为3.5meV和27 MeV电子照射的生长和氧气掺杂浮区硅的顺磁缺陷的生产和退火
机译:电子辐照硅光电探测器的I-V和C-V特性与温度的关系研究
机译:2 MeV电子辐照对硅上沉积的原子层高k栅极电介质的体积和界面的影响
机译:用8 MeV电子辐照p型硅中的辐射缺陷的等时退火
机译:高能电子辐照对氧化锌/硅金属-半导体-金属光电探测器的影响
机译:4MeV和6MeV电子束对全皮肤照射的剂量学比较
机译:模拟1 MeV电子辐照对n(+)-p-p(+)硅空间太阳能电池性能的影响
机译:1-meV电子辐照硼掺杂硅的缺陷能级。