机译:20 MeV电子辐照引起复合nc-Si-SiO_2薄膜的变化
Bulgarian Acad Sci Inst Solid State Phys 72 Tzarigradsko Chaussee Blvd BU-1784 Sofia Bulgaria;
Hungarian Acad Sci Ctr Energy Res Konkoly Thege Miklos Ut 29-33 H-1121 Budapest Hungary;
Univ Belgrade Inst Phys Ctr Solid State Phys & New Mat Pregrevica 118 Belgrade 11080 Serbia;
Joint Inst Nucl Res Flerov Lab Nucl React Dubna 141980 Moskow Region Russia;
Electron irradiation; Thin films; Silicon oxide; Silicon nanocrystals; Transmission electron microscopy; Optical characterization;
机译:20 MeV电子辐照引起复合nc-Si-SiO_2薄膜的变化
机译:20 MeV电子束辐照均质SiOx和复合Si-SiOx膜的光致发光
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