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机译:100 MeV O〜(7+)离子辐照Ti / n-Si肖特基势垒结构的载流子传导机理分析
Cent Univ Rajasthan, Dept Phys, Ajmer 305817, India;
Inter Univ Accelerator Ctr, New Delhi 110067, India;
Cent Univ Rajasthan, Dept Phys, Ajmer 305817, India;
Cent Univ Rajasthan, Dept Phys, Ajmer 305817, India;
Schottky barrier; Ion irradiation; I-V characteristics;
机译:100 MeV氧离子辐照对Ni / n-Si(100)肖特基势垒特性的影响
机译:100 MeV O〜(7+)离子辐照对ZnO和SnO_2纳米结构的乙醇感测响应的影响
机译:130 Mevau〜(12+)离子辐照的Au / n-si(100)肖特基结构的不均匀性
机译:A-SIN_X中致密层间的演变:H薄膜100 meV Ni〜(7+)离子辐射
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:100MeV Ag离子辐照对石墨烯的纯化/退火
机译:25 MeV中子辐照过程中Si结构中势垒电容充电,产生和漂移电流以及载流子寿命的相关演变