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机译:具有自偏置像素的CMOS单片有源像素传感器的辐射容限
Goethe University Frankfurt, D-60439 Frankfurt/M, Germany;
Goethe University Frankfurt, D-60439 Frankfurt/M, Germany;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
Goethe University Frankfurt, D-60439 Frankfurt/M, Germany,IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France,GSI, Helmholtzzentrum fur Schwerionenforschung, Plankstr. I, D-64291 Darmstadt, Germany;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
Goethe University Frankfurt, D-60439 Frankfurt/M, Germany;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
Goethe University Frankfurt, D-60439 Frankfurt/M, Germany;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
Goethe University Frankfurt, D-60439 Frankfurt/M, Germany,GSI, Helmholtzzentrum fur Schwerionenforschung, Plankstr. I, D-64291 Darmstadt, Germany;
Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
IPHC, 23 rue de loess, F-67037 Strasbourg cedex 2, France;
monolithic active pixel sensor; MAPS; CMOS-sensor; radiation hardness; pixel sensor;
机译:CMOS单片活性像素传感器辐射耐受性的进展
机译:CMOS单块有源像素传感器的工艺改进,以增强耗尽,定时性能和辐射耐受性
机译:CMOS单块有源像素传感器对非电离辐射的公差的间距依赖性
机译:用于耗尽型单片有源像素传感器的新型CMOS工艺的辐射硬度研究
机译:用于数码相机的CMOS有源像素传感器:最新技术。
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS)可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:具有自偏置像素的CMOS单片有源像素传感器的辐射容限