真空紫外光リソグラフィーによる超微細パターン形成に関する研究

摘要

Ultra-fine pattern formation by lithography is one of the key technologies in integrated circuits (IC) wafer processes. ArF lithography that uses 193nm wavelength light in vacuum ultraviolet range was developed on the improvement of the exposure system, resist materials, and resist pattern evaluation methodologies. Using the results of the lithography, the dry etching technologies were established in fabrication of the process modules for standard 130nm technology node devices.%ArFリソグラフィによる超微細パターン形成 を達成し、これを基にドライエッチング技術で の検討を重ねた結果、130nm技術のデバイス用 プロセスモジュールパターン形成を実現できた。 これによってArFリソグラフィのICプロセスへ の実用化の道を切り開いた。