プラズマによるSi-Ge系表面原子制御とその応用に関する研究

摘要

ECRプラズマCVDにおける基板非加熱下でrnのGeH_4及びSiH_4表面反応により、表面が原子オrnーダで制御されたSi-Ge系ヘテロエピタキシャrnル成長が可能であることを見いだした。そして、rn高度歪Ge/Siヘテロ構造を実現し、350℃以上のrn熱処理によって歪緩和が進行することを明らかrnにした。