Ⅳ族半導体中へのN原子層ドーピングに関する研究

摘要

高清浄減圧CVD法を用いて、Si_(0.5)Ge_(0.5)中へのNrn原子層ドーピングとそのドーピング特性について研rn究を行った結果、約6×10~(14)cm~(-2)のN原子層を1.5rnnm厚の極薄領域に閉じ込めたSi_(0.5)Ge_(0.5)エビタキシrnャル薄膜の低温形成を可能にした。そして、650℃のrn熱処理をおこなっても、N原子の分布は変わらないこrnとを見出した。また、Si_(0.5)Ge_(0.5)中のN原子は、Si原子rnと結合しやすく、熱処理によってSi_3N_4構造を形成すrnる傾向があることを明らかにした。