LSIの性能を微細化に頼らず向上高速化と低電力化に寄与

摘要

連載の第9回では，トランジスタのドレインと基板の間の寄生容量を減らしてLSIの性能を高めるSOI（silicon on insulator）基板技術を取り上げる。SOI基板技術は，微細化に頼らずにLSIの性能を向上させる「テクノロジ・ブースタ」の一種であり，すでに高速プロセサや低電力LSIなどで実用化されている。LSIのさらなる性能向上に向けて，ここに来て基板表面のSi層（SOI層）を50～10nm厚まで薄くしたり，ひずみSiやGeチャネルとSOlを組み合わせる技術の開発が活発化している。