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【24h】

「3次元LSlで最先端を走るホンダ」

机译:“本田凭借3D LSL处于最前沿”

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摘要

2007年秋に米国で開かれた3次元LSI関連のrn学会で衝撃的な発表がありました。貫通電極をrn使った3次元LSI技術を使って,マイクロプロrnセサ,A-D変換券,DRAMをウエーハ状態でrn接合し,動作確認をしたというものです(本誌rn2008年2月号,pp.28-29およびpp.104-105を参rn照)。さらに,関係者を驚かせたのは,その発rn表が半導体メーカーからではなく,自動車メーrnカーのホンダの研究開発子会社によるものだとrnいうことです。LSIの技術開発成果で,畑違いrnと思える自動車メーカーに半導体メーカーが先rnを越されたというわけです。
机译:在2007年秋天在美国举行的3D LSI相关学术会议上,发表了令人震惊的演讲。使用采用穿通电极的三维LSI技术,以晶片状态粘合微型探针,AD转换票和DRAM以确认操作(该杂志,2008年2月,第28页。 -29和pp.104-105)。此外,令相关人员感到惊讶的是rn表不是来自半导体制造商,而是来自汽车制造商本田的研发子公司。 LSI技术发展的结果是半导体制造商已经超越了汽车制造商,这似乎是不可能的。

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  • 来源
    《日経マイクロデバイス》 |2008年第272期|15-15|共1页
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