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【24h】

MRAMで混載SRAMの代替が射程に250MHz動作をNECが実証

机译:NEC演示了在250MHz的工作频率范围内,替代具有MRAM的嵌入式SRAM

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摘要

待機時の消費電力がゼロの“不揮発性rnSRAM”。新型RAMの中で,この理想のrnメモリーを射程に入れたのがMRAMであrnる。MRAMは,SRAMと同じプロセス世rn代で同程度の動作速度を実現するポテンrnシャルがある。今回,NECが150nm世代rnの1MビットMRAMで,混載SRAMと同rn等の250MHz動作を実証した(図A)。rnMRAMで実証された動作速度はこれrnまで100MHz未満であり,NECはその2rn倍以上に高めた。
机译:待机期间功耗为零的“非易失性rnSRAM”。在新的RAM中,正是MRAM将该理想的rn存储器放在了范围之内。 MRAM有可能在与SRAM相同的过程生成中达到相似的运行速度。这次,NEC展示了150nm的rn的1M位MRAM在250MHz的工作频率,与嵌入式SRAM和rn相同(图A)。直到rn为止,rnMRAM所显示的运行速度都低于100MHz,NEC将其提高了2倍以上。

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    《日経マイクロデバイス》 |2008年第272期|60-60|共1页
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