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3D transistors

机译:3D晶体管

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摘要

Computer-chip manufacturer Intel has announced that it will mass-produce three-dimensional transistors for its next generation of chips. Usually, the channel along which electric current passes in a transistor is flat; in the 'Tri-Gate' transistors (pictured), it protrudes from the surface so that the gate' that switches current on or off wraps around the channel on three sides. The concept - developed in the late 1990s by Chenming Hu at the University of California, Berkeley, and his colleagues - should allow smaller components to be packed more closely on chips. See go.nature.com/2omjfp for more.
机译:计算机芯片制造商英特尔宣布将为其下一代芯片批量生产三维晶体管。通常,晶体管中电流沿其流过的通道是平坦的。在“ Tri-Gate”晶体管(如图所示)中,它从表面突出,因此用于打开或关闭电流的栅极在三个侧面环绕着沟道。这个概念是1990年代后期由加州大学伯克利分校的胡晨鸣及其同事提出的,它应该允许更小的组件更紧密地封装在芯片上。有关更多信息,请参见go.nature.com/2omjfp。

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  • 来源
    《Nature》 |2011年第7346期|p.129|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 02:54:35

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