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机译:0.5-6 GHz低压低功率混频器,采用0.18; C; m cmos技术的改进的共源共栅拓扑
Department of Electrical Engineering, National Central University, Jhongli, Taoyuan, 32001, Taiwan;
机译:0.5-7.5 GHz超低压低功率混频器,采用0.18-μmCMOS技术采用批量注入方法
机译:采用0.18μmCMOS技术的低电压5.4 GHz单芯片级联LNA
机译:采用低功耗大容量注入技术在5.8 GHz DSRC应用中设计0.18μmCMOS技术中的电阻双平衡混频器
机译:采用0.18μmCMOS技术的0.8V低压低功率源驱动混频器
机译:低电压和低功率硅锗BiCMOS拓扑,用于每秒80-100吉比特的串行通信。
机译:具有认知峰值的50 MHz–10 GHz低功率电阻反馈电流复用混频器用于认知无线电接收器
机译:采用0.18μmCMOS技术的2GHz低功耗下变频混频器