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机译:具有集成增益,倍增器和驱动器级的13.5至17.0 GHz GaAs MMIC倍增器
机译:GaAs-mHEMT MMIC工艺中的单片集成200 GHz双槽天线和电阻混频器
机译:采用mHEMT技术的60 GHz MMIC双平衡吉尔伯特混频器,集成了RF,LO和IF巴伦
机译:使用GaAs HEMT–HBT级联增益级的DC–43.5-GHz全集成分布式放大器的设计和分析
机译:使用准垂直GaAs肖特基二极管的20至60 GHz倍频器MMIC
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:使用四阳极肖特基二极管的135-190 GHz宽带自偏置倍频器
机译:DC-8 GHz 11 dB增益GaInP / GaAs HBT双平衡吉尔伯特微型混音器