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机译:0.1至6 GHz GaN放大器重新定义SWaP
机译:采用0.1μmT栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的18-31 GHz GaN宽带低噪声放大器(LNA)
机译:用于71-76和81-86 GHz功率放大器的0.1-InAlN / GaN高电子迁移率晶体管:钝化和栅极凹进的影响
机译:140GHz CMOS放大器,群延迟变化为10.2ps,0.1dB带宽为12GHz
机译:具有改进的IP3-BW的新型0.1-44 GHz线性共漏极共源共栅0.15μmGaN分布式放大器架构
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:6-W,28-38-GHZ GAN功率放大器MMIC中竞争匹配的限制与实施策略