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机译:III-N MOSHFET射频开关的大功率工作
III-V semiconductors; microwave power transistors; microwave switches; power HEMT; power MOSFET; power semiconductor switches; wide band gap semiconductors; 1 mm; 10 GHz; III-N MOSHFET RF switches; III-nitride insulated gate metal-oxide semiconductor heterostructu;
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机译:使用相变材料开发可重构RF前端的大功率1欧姆以下DC-67 GHz RF开关
机译:液体RF MEMS大功率开关。
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