一种用于TDD通信模式的大功率射频开关

摘要

采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1～3 GHz频带内插入损耗小于0.5 dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45 dB,尺寸为8 mm×8 mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用.