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【2h】

Performance Modeling of Silicon Carbide Photoconductive Switches for High-Power and High-Frequency Applications

机译：高功率和高频应用的碳化硅光电导电性能性能模型

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S. Rakheja; L. Huang; Stefan Hau-Riege; S. E. Harrison; Lars F. Voss; Adam M. Conway;
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年度 2020
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1. Compensation mechanisms and the response of high resistivity GaAs photoconductive switches during high-power applications [J] . Islam N.E., Schamiloglu E. IEEE Transactions on Plasma Science . 2000,第5期

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2. ON-State Characteristics of a High-Power Photoconductive Switch Fabricated From Compensated 6-H Silicon Carbide [J] . Kelkar K. S., Islam N. E., Kirawanich P., IEEE Transactions on Plasma Science . 2008,第1期

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3. State Characteristics of a High-Power Photoconductive Switch Fabricated From Compensated 6-H Silicon Carbide [J] . Kelkar K.S., Islam N.E., Kirawanich P., IEEE Transactions on Plasma Science . 2008,第1期

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4. Performance and characterization of a 20 kV, contact face illuminated, silicon carbide photoconductive semiconductor switch for pulsed power applications [C] . Mauch D., Sullivan W., Bullick A., IEEE Pulsed Power Conference . 2013

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8. 6H Silicon Carbide Photoconductive Switches for High Power Applications; Conference paper [R] . Nunnally, W. C., Islam, N., Kelkar, K., 2006

机译：用于高功率应用的6H碳化硅光电导开关;会议论文

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