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机译:130-NM SiGE BICMOS技术中的V波段低功耗紧凑型LNA
IHP Leibniz Inst Innovat Mikroelekt D-15236 Frankfurt Oder Germany|Brandenburg Tech Univ Cottbus Inst Elect Engn & Informat Sci D-03046 Cottbus Germany;
Karlsruhe Univ Appl Sci Fac Elect Engn & Informat Technol D-76133 Karlsruhe Germany;
IHP Leibniz Inst Innovat Mikroelekt D-15236 Frankfurt Oder Germany;
Hamburg Univ Technol Inst High Frequency Technol D-21073 Hamburg Germany;
IHP Leibniz Inst Innovat Mikroelekt D-15236 Frankfurt Oder Germany|Brandenburg Tech Univ Cottbus Inst Elect Engn & Informat Sci D-03046 Cottbus Germany;
Integrated circuit; low-noise amplifier (LNA); low-power; Miller effect; mm-wave; silicon-germanium; wideband;
机译:SiGe中的V频段小型化双向无切换PALNA:C BICMOS技术
机译:TID电气的影响在V波段SiGe Bicmos LNAs上
机译:130-NM SiGE BICMOS中的低功耗255GHz单级频率四重机器
机译:采用130 nm SiGe BiCMOS技术的低功耗三环路反馈宽带LNA
机译:用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
机译:基于电场感应的低功耗在线监测传感器供电技术
机译:基于240-GHz反射计的介电传感器,具有130nm SiGe Bicmos技术的集成换能器