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机译:基于237-GHz FT乘法器的DC-50-GHz直接耦合自偏置50-NM准E模式GaN MMIC放大器
Qorvo Inc Dept IDP Res Greensboro NC 27409 USA;
Qorvo Inc Dept IDP Res Greensboro NC 27409 USA;
Qorvo Inc Dept IDP Res Greensboro NC 27409 USA;
Decade-bandwidth; direct-coupled; f(T)-multiplier; GaN; millimeter-wave; quasi-E-mode; self-biased; single-supply;
机译:使用50nm掺del $ hbox {In} _ {0.52} hbox {Al} _ {0.48} hbox {As / In} _ {0.53} hbox {Ga} _ { 0.47} hbox {As} $变态HEMT
机译:单个3.3 V 2.4-2.5 GHz高线性PHEMT MMIC功率放大器,使用台面蚀刻层作为自偏置电阻
机译:使用新型宽带径向短截线的全W带GaN功率放大器MMIC
机译:35nm和50nm栅极长度变质HEMT技术对毫米波低噪声放大器MMIC的比较
机译:高效,线性和宽带GaN MMIC功率放大器。
机译:坚固的alGaN / GaN低噪声放大器mmIC,适用于C波段,Ku波段和Ka波段空间应用
机译:Ku和K波段GaN高功率放大器mmIC。