机译:具有6.3dB NF和-10dBm P的60–90GHz CMOS双中立LNA技术
Univ Sci & Technol China Hefei 230026 Anhui Peoples R China;
IBM Res New York NY 10598 USA;
Southern Methodist Univ Dallas TX 75205 USA;
Broadband amplifier; gain; low-noise amplifier (LNA); neutralized; noise figure (NF); W-band;
机译:具有小群延迟变化的3.88 dB NF 60 GHz CMOS UWB LNA
机译:在90nm CMOS中具有18.6dB增益和5.7dB NF的60GHz LNA
机译:具有65 nm CMOS技术的分接电容器匹配网络的3.4 dB NF K波段LNA
机译:采用32nm SOI CMOS技术的18mW,3.3dB NF,60GHz LNA,具有自主NF校准
机译:可制造60GHz CMOS LNA的设计技术。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:采用65 nm CMOS技术的60GHz频段的低功耗高增益LNA