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机译:具有65nm CMOS的55–64GHz低功耗小面积LNA,具有3.8dB的平均NF和〜12.8dB的功率增益
Amirkabir Univ Technol, Dept Elect Engn, Tehran 15914, Iran;
Amirkabir Univ Technol, Dept Elect Engn, Tehran 15914, Iran;
Univ British Columbia, Dept Elect & Comp Engn, Vancouver, BC V6T 1Z4, Canada;
Amirkabir Univ Technol, Dept Elect Engn, Tehran 15914, Iran;
Univ British Columbia, Dept Elect & Comp Engn, Vancouver, BC V6T 1Z4, Canada;
Beamforming; CMOS; low-noise amplifier (LNA); low power; millimeter wave (mm wave); phased-array receivers;
机译:通过采用同时噪声和输入匹配的Gmax-Core,通过65-NM CMOS中的D波高增益和低功耗LNA
机译:在65nm CMOS中具有7.5GHz带宽和3.8dB最小NF的阻隔器耐受电流模式60GHz接收器
机译:用于相控阵接收器的65nm CMOS的17至24 GHz低功耗可变增益低噪声放大器
机译:130 nm RF SOI CMOS技术中的0.8 dB NF,4.6 dBm IIP3、1.8–2.2 GHz低功耗LNA
机译:采用65nm CMOS技术的宽带毫米波LNA,具有最小的增益和噪声变化
机译:用于汽车压力和温度复合传感器的信号调理IC中采用180 Nm CMOS技术的低功耗小面积符合AEC-Q100标准的SENT发送器的设计
机译:具有7通道截止频率的65 nm CMOS低功耗基带电路,LTE-Advanced SAW的RF发射器具有7声道截止频率和40dB增益范围