机译:具有0.13 m SiGe BiCMOS技术的2频段增益和7.7 dBm输出功率的D波段共源共栅放大器
机译:具有24.3 DB增益的D波段共级放大器和0.13米SiGe BICMOS技术的7.7 dBm输出功率
机译:D波段SiGe BICMOS功率放大器,具有16.8dBmp₁db和17.1%pae,通过多个公共阶段的电流钳制增强
机译:在BiCMOS 55nm中具有10dB转换增益的10dBm输出功率D波段电源
机译:采用0.13μmSiGe技术,在0.14 THz时具有7 dBm输出功率的2级D波段功率放大器
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:168-195 GHz功率放大器,输出功率大于BICMOS技术的18 dBm